طراحی وساخت سامانه ای برای اندازه گیری ضریب سیبک در نیمه هادی های اکسیدی در دماهای مختلف و انالیز نتایج حاصل

در این تحقیق خواص ترموالکتریکی اکسیدروی خالص و اکسیدروی حاوی ناخالصی نقره بررسی شده است. بدنه های سرامیکی استوانه ای شکل به روش های مرسوم پرس خشک شده با دو رژیم متفاوت حرارت-دما سنتز گردید. الکترودهایی از جنس آلومینیم بر روی دو قاعده به روش تبخیر حرارتی نشانده شد. اندازه گیری مقاومت الکتریکی و ضریب سیبک به روش اندازه گیری در جریان صفر در گستره دمایی 90 تا ?310 صورت گرفت. هر دو پارامتر کاهش تدریجی با افزایش دما را نشان داد. هر دو این تغییرات به افزایش غلظت حامل ها با افزایش دما مرتبط گردید. در ادامه، مقاومت الکتریکی و ضریب سیبک نمونه های اکسیدروی خالص تفجوشی شده در دمای 800 و c°1000 بررسی و مقایسه شد. با افزایش دمای تفجوشی مقاومت الکتریکی بدنه به شدت کاهش یافت، لیکن ضریب سیبک تغییر چندانی نداشت. نمونه های اکسیدروی حاوی درصدهای معینی از نقره نیز به طور مشابه تهیه و مورد بررسی قرار گرفت. ملاحظه گردید که با افزایش تراکم نقره در بدنه، مقاومت الکتریکی و اندازه ضریب سیبک نمونه ها افزایش می یابد. نتایج بدست آمده از آزمایش ها بر اساس پارامترهای مهم نیمه هادی مدل گردید؛ مدل ارائه شده بیان قابل قبولی از نتایج را ارائه می دهد. همچنین اکسیدروی حاوی ناخالصی نقره به روش شبیه سازی first principles study بررسی شد و نتایج نشان داد که ناخالصی نقره توانایی ایجاد حامل های نوع p در اکسیدروی را دارد.